Samsung uruchamia produkcję procesorów w architekturze 3 nm

Samsung zaczyna produkcję pierwszych procesorów wykorzystujących architekturę 3 nm. Pojawią się one na rynku już w 2023 roku, oferując ponad 20 procentowy wzrost wydajności.

Urządzenia mobilne wykonują coraz więcej zadań, do których potrzeba znacznie więcej mocy. Producenci procesorów muszą więc projektować coraz wydajniejsze układy, a moc zwiększana jest poprzez przechodzenie na coraz mniejszy proces produkcji. Dzięki temu na krzemowych waflach można upakować znacznie więcej tranzystorów, co podnosi moc obliczeniową całego układu.

Samsung właśnie ogłosił, że dokonał przeskoku na proces produkcji 3 nm. W oddziale Electronics Hwaseong z powodzeniem wyprodukowano pierwsze wafle do układów nowej generacji, wykorzystującej architekturę tranzystorów Gate-All-Around (GAA). To nowa technologia, która eliminuje ograniczenia wydajności technologii FinFeET, poprawiając sprawność energetyczną poprzez zmniejszenie poziomu napięcia zasilania. A jednocześnie zwiększając wydajność, poprzez podniesienie wydajności prądowej obwodów.

Technologia wykorzystuje nanoarkusze z szerszymi kanałami. Zapewnia to większą wydajność i energooszczędność w porównaniu z technologiami GAA wykorzystującymi nanoprzewody z węższymi kanałami. Zastosowanie technologii 3 nm GAA, pozwala firmie dostosować szerokość kanału nanoarkuszy w celu zoptymalizowania zużycia energii i wydajności pod kątem różnych potrzeb klientów.

Samsung twierdzi, że proces 3 nm pierwszej generacji w porównaniu z procesem 5 nm pierwszej generacji zmniejsza zużycie energii o 45%. Podnosi bowiem wydajność o 23% i zmniejsza powierzchnię układu o 16%. Druga generacja procesu 3 nm jest jeszcze efektywniejsza. Zmniejsza zużycie energii nawet o 50%, poprawa wydajności o 30% i zmniejsza rozmiar układu o 35%.

Źródło